国宝2004年以成果若干新型光功能材料的基础研究和应用探索获国家自然科学二等奖（第一获奖人）。

但是几乎没有有机高分子半导体能实现真正的如橡皮筋一般的、档案高度可逆、档案能长期循环的弹性，更不用说同时再将抗溶剂性、光图案化、可量产、廉价性等优良性能全部集成到高分子半导体中，得到多功能化的有机半导体层。系列提高介电层材料与前驱体间的交联密度可解决这一问题。

在柔性场效应晶体管器件中，纪录实现了1cm2 V-1 s-1的高度可重复的迁移率，纪录并且在1000圈50%拉伸长度的循环后，仍然保持1cm2 V-1 s-1的迁移率，这是目前的长循环后最高值之一。然而更令作者惊讶的是，片御即使循环数增加到5000圈（4小时连续不断循环），片御复合半导体膜依然维持非常稳定的迁移率性能，该拉伸循环寿命已是目前任何一例报道的5倍（图3i）。BAc：膳房聚1,3-丁二烯骨架+丙烯酯交联官能团，使其只能与自身进行交联。

牛津大学IainMcCulloch课题组、国宝斯坦福大学JianQin（秦健）课题组、南密西西比大学XiaodanGu（顾晓丹）课题组等参与了此工作。在研究中发现（图2h），档案只有BH/DPPTT的复合半导体膜的迁移率随BH含量增加而显著下降（最终降至0.06cm2 V-1 s-1），档案但BA、BF、BAc与DPPTT的复合半导体薄膜迁移率与纯DPPTT的迁移率一致，无论混合比例如何，都维持在1cm2 V-1 s-1的值。

与纯DPPTT相比，系列复合膜的模量减小了四倍，且拉伸断裂长度提高了一个数量级（图2k-m）。

IDTBT之前已经被Zhenan Bao组报道具有高度的可拉伸性，纪录但该可拉伸性却完全不可逆（即非弹性：纪录在外界拉伸被撤去后无法回到原有状态，呈现大量褶皱，电学性能显著下降）。（d）计算了应变相关的离子迁移活化能和CsPbI2Br中卤化物空位形成能，片御其中x轴上的负值和正值分别代表压缩应变和拉伸应变。

【图文导读】图一、膳房卤化物钙钛矿应变的定义和测量上行分别给出了无应变（a）、压缩/拉伸应变（b）、微应变（c）和原子矢量位移（d）的示意图。【全文总结】为了解决钙钛矿光伏材料中应变与材料性质之间许多悬而未决的问题，国宝作者提出了一个迭代工作流程，国宝通过高级应变工程调整应变，更充分地利用强大的原位和非原位测量技术以及反馈的知识来改进应变工程方法。

档案下图：n-辛基氨改性（OA-10）和控制钙钛矿薄膜的2θ与sin2ψ的线性拟合。此外，系列与其他光伏系统相比，卤化物钙钛矿中的应变幅度相对较高。